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Transistores 1200V DC-1 kilociclo (STD) IGBT AUTO DISCRETO de AUIRG4PH50S Infineon IGBT

Transistores 1200V DC-1 kilociclo (STD) IGBT AUTO DISCRETO de AUIRG4PH50S Infineon IGBT

MOQ: 10pcs
Precio: Negociable
Standard Packaging: TUBO 400PCS/BOX
Delivery Period: 2-3days
Payment Method: T/T, Western Union
Supply Capacity: 10000pcs/week
Información detallada
Lugar de origen
Taiwán
Nombre de la marca
Infineon
Certificación
ROHS
Número de modelo
AUIRG4PH50S
Categoría de producto:
Transistores de IGBT
Tecnología:
Si
Montaje de estilo:
A través del agujero
Configuración:
Solo
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:
1,2 kV
Voltaje de saturación del Colector-emisor:
1,47 V
Voltaje máximo del emisor de la puerta:
- 20 V, + 20 V
Corriente de colector continua en 25 C:
141 A
Paladio - disipación de poder:
543 W
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Altura:
20,7 milímetros
Longitud:
15,87 milímetros
Anchura:
5,31 milímetros
cantidad de empaquetado de la fábrica:
400pcs/box
Product Description

Transistores 1200V DC-1 kilociclo (STD) IGBT AUTO DISCRETO de AUIRG4PH50S Infineon IGBT

 

1.FEATURES

Estándar: Optimizado para la saturación mínima
voltaje y frecuencias de funcionamiento bajas (< 1kHz=""> • El diseño de la generación 4 IGBT proporciona más apretado
distribución del parámetro y una eficacia más alta
• Paquete del estándar industrial TO-247AC
• Sin plomo
• Automotriz calificado *

2.BENEFITS

La eficacia más alta de la oferta de la generación 4 IGBT disponible

IGBT optimizados para las condiciones especificadas del uso

 

Transistores 1200V DC-1 kilociclo (STD) IGBT AUTO DISCRETO de AUIRG4PH50S Infineon IGBT 0

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PRODUCTS DETAILS
Transistores 1200V DC-1 kilociclo (STD) IGBT AUTO DISCRETO de AUIRG4PH50S Infineon IGBT
MOQ: 10pcs
Precio: Negociable
Standard Packaging: TUBO 400PCS/BOX
Delivery Period: 2-3days
Payment Method: T/T, Western Union
Supply Capacity: 10000pcs/week
Información detallada
Lugar de origen
Taiwán
Nombre de la marca
Infineon
Certificación
ROHS
Número de modelo
AUIRG4PH50S
Categoría de producto:
Transistores de IGBT
Tecnología:
Si
Montaje de estilo:
A través del agujero
Configuración:
Solo
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:
1,2 kV
Voltaje de saturación del Colector-emisor:
1,47 V
Voltaje máximo del emisor de la puerta:
- 20 V, + 20 V
Corriente de colector continua en 25 C:
141 A
Paladio - disipación de poder:
543 W
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Altura:
20,7 milímetros
Longitud:
15,87 milímetros
Anchura:
5,31 milímetros
cantidad de empaquetado de la fábrica:
400pcs/box
Cantidad de orden mínima:
10pcs
Precio:
Negociable
Detalles de empaquetado:
TUBO 400PCS/BOX
Tiempo de entrega:
2-3days
Condiciones de pago:
T/T, Western Union
Capacidad de la fuente:
10000pcs/week
Product Description

Transistores 1200V DC-1 kilociclo (STD) IGBT AUTO DISCRETO de AUIRG4PH50S Infineon IGBT

 

1.FEATURES

Estándar: Optimizado para la saturación mínima
voltaje y frecuencias de funcionamiento bajas (< 1kHz=""> • El diseño de la generación 4 IGBT proporciona más apretado
distribución del parámetro y una eficacia más alta
• Paquete del estándar industrial TO-247AC
• Sin plomo
• Automotriz calificado *

2.BENEFITS

La eficacia más alta de la oferta de la generación 4 IGBT disponible

IGBT optimizados para las condiciones especificadas del uso

 

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