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STP12NM50 ST MOSFET N-Ch 500 voltios 12 amperios Aplicaciones de conmutación

STP12NM50 ST MOSFET N-Ch 500 voltios 12 amperios Aplicaciones de conmutación

MOQ: 10 piezas
Precio: Negociable
Standard Packaging: 1000PCS/TUBO
Delivery Period: 2-3 días
Payment Method: T/T, Unión Occidental
Supply Capacity: 3000 piezas/semana
Información detallada
Lugar de origen
Marruecos
Nombre de la marca
ST
Certificación
ROHS
Número de modelo
STP12NM50
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Polaridad del transistor:
Canal N
número de canales:
1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
500 V
Identificación - corriente continua del dren:
12 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
350 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
- 30 V, + 30 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
3 voltios
Qg - carga de la puerta:
39 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 65C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150C
Paladio - disipación de poder:
160 W
Modo del canal:
Aumento
Configuración:
Único
Transconductancia delantera - minuto:
5,5 segundos
Altura:
9,15 mm
Longitud:
10,4 mm
Ancho:
4,6 milímetros
Tiempo de subida:
10 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:
20 ns
Cantidad que embala de la fábrica:
1000
Product Description

STP12NM50 ST MOSFET N-Ch 500 voltios 12 amperios Aplicaciones de conmutación

1.Características

100 % probado contra avalanchas
Baja capacitancia de entrada y carga de puerta
Resistencia de entrada de puerta baja

 

2.Descripción
Estos MOSFET de potencia de canal N se desarrollan utilizando la revolucionaria tecnología MDmesh de STMicroelectronics, que asocia el proceso de drenaje múltiple con el diseño horizontal PowerMESH de la empresa.Estos dispositivos ofrecen una resistencia de encendido extremadamente baja, un alto dv/dt y excelentes características de avalancha.Utilizando la técnica de tira patentada de ST, estos MOSFET de potencia cuentan con un rendimiento dinámico general que es superior a productos similares en el mercado.

 

3.Aplicaciones
Cambio de aplicaciones

 

STP12NM50 ST MOSFET N-Ch 500 voltios 12 amperios Aplicaciones de conmutación 0

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STP12NM50 ST MOSFET N-Ch 500 voltios 12 amperios Aplicaciones de conmutación
MOQ: 10 piezas
Precio: Negociable
Standard Packaging: 1000PCS/TUBO
Delivery Period: 2-3 días
Payment Method: T/T, Unión Occidental
Supply Capacity: 3000 piezas/semana
Información detallada
Lugar de origen
Marruecos
Nombre de la marca
ST
Certificación
ROHS
Número de modelo
STP12NM50
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Polaridad del transistor:
Canal N
número de canales:
1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
500 V
Identificación - corriente continua del dren:
12 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
350 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
- 30 V, + 30 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
3 voltios
Qg - carga de la puerta:
39 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 65C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150C
Paladio - disipación de poder:
160 W
Modo del canal:
Aumento
Configuración:
Único
Transconductancia delantera - minuto:
5,5 segundos
Altura:
9,15 mm
Longitud:
10,4 mm
Ancho:
4,6 milímetros
Tiempo de subida:
10 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:
20 ns
Cantidad que embala de la fábrica:
1000
Cantidad de orden mínima:
10 piezas
Precio:
Negociable
Detalles de empaquetado:
1000PCS/TUBO
Tiempo de entrega:
2-3 días
Condiciones de pago:
T/T, Unión Occidental
Capacidad de la fuente:
3000 piezas/semana
Product Description

STP12NM50 ST MOSFET N-Ch 500 voltios 12 amperios Aplicaciones de conmutación

1.Características

100 % probado contra avalanchas
Baja capacitancia de entrada y carga de puerta
Resistencia de entrada de puerta baja

 

2.Descripción
Estos MOSFET de potencia de canal N se desarrollan utilizando la revolucionaria tecnología MDmesh de STMicroelectronics, que asocia el proceso de drenaje múltiple con el diseño horizontal PowerMESH de la empresa.Estos dispositivos ofrecen una resistencia de encendido extremadamente baja, un alto dv/dt y excelentes características de avalancha.Utilizando la técnica de tira patentada de ST, estos MOSFET de potencia cuentan con un rendimiento dinámico general que es superior a productos similares en el mercado.

 

3.Aplicaciones
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