MOQ: | 10 piezas |
Precio: | Negociable |
Standard Packaging: | 1000PCS/TUBO |
Delivery Period: | 2-3 días |
Payment Method: | T/T, Unión Occidental |
Supply Capacity: | 3000 piezas/semana |
1.Características
100 % probado contra avalanchas
Baja capacitancia de entrada y carga de puerta
Resistencia de entrada de puerta baja
2.Descripción
Estos MOSFET de potencia de canal N se desarrollan utilizando la revolucionaria tecnología MDmesh de STMicroelectronics, que asocia el proceso de drenaje múltiple con el diseño horizontal PowerMESH de la empresa.Estos dispositivos ofrecen una resistencia de encendido extremadamente baja, un alto dv/dt y excelentes características de avalancha.Utilizando la técnica de tira patentada de ST, estos MOSFET de potencia cuentan con un rendimiento dinámico general que es superior a productos similares en el mercado.
3.Aplicaciones
Cambio de aplicaciones
MOQ: | 10 piezas |
Precio: | Negociable |
Standard Packaging: | 1000PCS/TUBO |
Delivery Period: | 2-3 días |
Payment Method: | T/T, Unión Occidental |
Supply Capacity: | 3000 piezas/semana |
1.Características
100 % probado contra avalanchas
Baja capacitancia de entrada y carga de puerta
Resistencia de entrada de puerta baja
2.Descripción
Estos MOSFET de potencia de canal N se desarrollan utilizando la revolucionaria tecnología MDmesh de STMicroelectronics, que asocia el proceso de drenaje múltiple con el diseño horizontal PowerMESH de la empresa.Estos dispositivos ofrecen una resistencia de encendido extremadamente baja, un alto dv/dt y excelentes características de avalancha.Utilizando la técnica de tira patentada de ST, estos MOSFET de potencia cuentan con un rendimiento dinámico general que es superior a productos similares en el mercado.
3.Aplicaciones
Cambio de aplicaciones