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IRLML5203TRPBF Infineon/MOSFET bajo del MOSFET del P-canal de la carga de la puerta de la En-resistencia baja de IRUltra

IRLML5203TRPBF Infineon/MOSFET bajo del MOSFET del P-canal de la carga de la puerta de la En-resistencia baja de IRUltra

MOQ: 10pcs
Precio: Negociable
Standard Packaging: 3000pcs/reel
Delivery Period: 2-3 días
Payment Method: T/T, Western Union
Supply Capacity: 18000PCS/Week
Información detallada
Lugar de origen
Chian
Nombre de la marca
Infineon / IR
Certificación
ROHS
Número de modelo
IRLML5203TRPBF
Categoría de producto:
MOSFET
tecnología:
Si
Polaridad del transistor:
P-canal
Número de canales:
1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
30 V
Identificación - corriente continua del dren:
3 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
165 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
- 20 V, + 20 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
4 V
Qg - carga de la puerta:
9,5 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Paladio - disipación de poder:
W 1,25
Modo del canal:
Aumento
Altura:
1,1 milímetros
Longitud:
2,9 milímetros
Anchura:
1,3 mm
Cantidad que embala de la fábrica:
3000
Product Description

LVL del registro del MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC de IRLML5203TRPBF Infineon/IR

 

 

 

1. En-resistencia ultrabaja
MOSFET del P-canal
Soporte superficial
Disponible en cinta y carrete
Carga baja de la puerta
Sin plomo
RoHS obediente, Halógeno-libre

2.Description
Estos MOSFETs del P-canal de las técnicas de proceso utilizeadvanced rectificador internacional para alcanzar extremadamente la lowon-resistencia por área del silicio. Esta ventaja provee del thedesigner un dispositivo extremadamente eficiente para el uso en usos de la gestión de la carga del batteryand.
Un leadframe grande termalmente aumentado del cojín beenincorporated en el paquete estándar SOT-23 para producir el MOSFET del poder del aHEXFET con la huella más pequeña de la industria. Este paquete, dobló el Micro3TM, es ideal para el applicationswhere imprimió a la placa de circuito que el espacio está en un premio. El lowprofile (<1>

3.IRLML5203TRPBF Infineon/MOSFET bajo del MOSFET del P-canal de la carga de la puerta de la En-resistencia baja de IRUltra 0

 

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IRLML5203TRPBF Infineon/MOSFET bajo del MOSFET del P-canal de la carga de la puerta de la En-resistencia baja de IRUltra
MOQ: 10pcs
Precio: Negociable
Standard Packaging: 3000pcs/reel
Delivery Period: 2-3 días
Payment Method: T/T, Western Union
Supply Capacity: 18000PCS/Week
Información detallada
Lugar de origen
Chian
Nombre de la marca
Infineon / IR
Certificación
ROHS
Número de modelo
IRLML5203TRPBF
Categoría de producto:
MOSFET
tecnología:
Si
Polaridad del transistor:
P-canal
Número de canales:
1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
30 V
Identificación - corriente continua del dren:
3 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
165 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
- 20 V, + 20 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
4 V
Qg - carga de la puerta:
9,5 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Paladio - disipación de poder:
W 1,25
Modo del canal:
Aumento
Altura:
1,1 milímetros
Longitud:
2,9 milímetros
Anchura:
1,3 mm
Cantidad que embala de la fábrica:
3000
Cantidad de orden mínima:
10pcs
Precio:
Negociable
Detalles de empaquetado:
3000pcs/reel
Tiempo de entrega:
2-3 días
Condiciones de pago:
T/T, Western Union
Capacidad de la fuente:
18000PCS/Week
Product Description

LVL del registro del MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC de IRLML5203TRPBF Infineon/IR

 

 

 

1. En-resistencia ultrabaja
MOSFET del P-canal
Soporte superficial
Disponible en cinta y carrete
Carga baja de la puerta
Sin plomo
RoHS obediente, Halógeno-libre

2.Description
Estos MOSFETs del P-canal de las técnicas de proceso utilizeadvanced rectificador internacional para alcanzar extremadamente la lowon-resistencia por área del silicio. Esta ventaja provee del thedesigner un dispositivo extremadamente eficiente para el uso en usos de la gestión de la carga del batteryand.
Un leadframe grande termalmente aumentado del cojín beenincorporated en el paquete estándar SOT-23 para producir el MOSFET del poder del aHEXFET con la huella más pequeña de la industria. Este paquete, dobló el Micro3TM, es ideal para el applicationswhere imprimió a la placa de circuito que el espacio está en un premio. El lowprofile (<1>

3.IRLML5203TRPBF Infineon/MOSFET bajo del MOSFET del P-canal de la carga de la puerta de la En-resistencia baja de IRUltra 0

 

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