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SPW47N60C3 MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

SPW47N60C3 MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

MOQ: 10PCS
Precio: Negociable
Standard Packaging: 240pcs/box
Delivery Period: 2-3days
Payment Method: T/T, Western Union
Supply Capacity: 48000
Información detallada
Lugar de origen
Chian
Nombre de la marca
INFINEON
Certificación
ROHS
Número de modelo
SPW47N60C3
Categoría de producto:
MOSFET
Tecnología:
Si
Montaje de estilo:
A través del agujero
Paquete/caso:
TO-247-3
Polaridad del transistor:
Canal N
Número de canales:
1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
600 V
Identificación - corriente continua del dren:
47 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
70 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
- 20 V, + 20 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
2,1 V
Qg - carga de la puerta:
252 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Paladio - disipación de poder:
415 W
Configuración:
solo
Tiempo de caída:
8 ns
Altura:
21,1 milímetros
Longitud:
16,13 milímetros
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
27 ns
Tipo del transistor:
1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:
111 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:
18 ns
Anchura:
5,21 milímetros
Cantidad del paquete de la fábrica:
240
Product Description

SPW47N60C3 MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

 

1.Feature

Carga ultrabaja de la puerta

La avalancha periódica valoró

Dv/dt extremo valoró

Capacitancias eficaces ultrabajas

2.Definition de los diodos que cambian características

SPW47N60C3 MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 0

 

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SPW47N60C3 MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
MOQ: 10PCS
Precio: Negociable
Standard Packaging: 240pcs/box
Delivery Period: 2-3days
Payment Method: T/T, Western Union
Supply Capacity: 48000
Información detallada
Lugar de origen
Chian
Nombre de la marca
INFINEON
Certificación
ROHS
Número de modelo
SPW47N60C3
Categoría de producto:
MOSFET
Tecnología:
Si
Montaje de estilo:
A través del agujero
Paquete/caso:
TO-247-3
Polaridad del transistor:
Canal N
Número de canales:
1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
600 V
Identificación - corriente continua del dren:
47 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
70 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
- 20 V, + 20 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
2,1 V
Qg - carga de la puerta:
252 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Paladio - disipación de poder:
415 W
Configuración:
solo
Tiempo de caída:
8 ns
Altura:
21,1 milímetros
Longitud:
16,13 milímetros
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
27 ns
Tipo del transistor:
1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:
111 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:
18 ns
Anchura:
5,21 milímetros
Cantidad del paquete de la fábrica:
240
Cantidad de orden mínima:
10PCS
Precio:
Negociable
Detalles de empaquetado:
240pcs/box
Tiempo de entrega:
2-3days
Condiciones de pago:
T/T, Western Union
Capacidad de la fuente:
48000
Product Description

SPW47N60C3 MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

 

1.Feature

Carga ultrabaja de la puerta

La avalancha periódica valoró

Dv/dt extremo valoró

Capacitancias eficaces ultrabajas

2.Definition de los diodos que cambian características

SPW47N60C3 MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 0

 

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