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MOSFET 192A IRF100S201 del canal N del motor de Infineon IR BLDC

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PCB de la Asamblea

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MOSFET 192A IRF100S201 del canal N del motor de Infineon IR BLDC

MOQ:	10pcs
Precio:	Negociable
Standard Packaging:	800PCS / CARRETE
Delivery Period:	2-3days
Payment Method:	T/T, Western Union
Supply Capacity:	8000PCS/WEEK

Details Information

Product Description

Información detallada

Lugar de origen

China

Nombre de la marca

INFINEON

Certificación

Número de modelo

IRF100S201

Categoría de producto:

Mosfet

Polaridad del transistor:

Canal N

Número de canales:

1 canal

Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:

100 V

Identificación - corriente continua del dren:

Rds en - resistencia de la Dren-fuente:

4,2 mOhms

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:

- 20 V, + 20 V

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:

Qg - carga de la puerta:

170 nC

Temperatura de funcionamiento mínima:

- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo:

+ 175 C

Paladio - disipación de poder:

Altura:

2,3 milímetros

Longitud:

6,5 milímetros

Anchura:

6,22 milímetros

Transconductancia delantera - minuto:

278 S

Tiempo de caída:

100 ns

Tiempo de subida:

97 ns

Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:

110 ns

Tiempo de retraso de abertura típico:

17 ns

Cantidad del paquete de la fábrica:

Resaltar:

MOSFET del canal N del IR

MOSFET del canal N del motor de BLDC

MOSFET de 192A IR

Product Description

MOSFET original del MOSFET de IRF100S201 el 100%, 100V, mOhm 192A 4,2, 170 nC Qg

1. uso

Usos cepillados de la impulsión del motor
Usos de la impulsión del motor de BLDC
Circuitos con pilas
Topologías del semipuente y del lleno-puente
Usos síncronos del rectificador
Fuentes de alimentación resonantes del modo
Anillo o e interruptores redundantes
Convertidores de DC/DC y de AC/DC
Inversores de DC/AC

2. Ventajas

Puerta mejorada, avalancha y aspereza dinámica de dV/dt
Capacitancia completamente caracterizada y avalancha SOA
Diodo aumentado dV/dt del cuerpo y capacidad de dI/dt
Sin plomo, RoHS obediente, Halógeno-libre

MOSFET del poder 3.HEXFET®

MOSFET 192A IRF100S201 del canal N del motor de Infineon IR BLDC 0

MOSFET 192A IRF100S201 del canal N del motor de Infineon IR BLDC 1

MOSFET 192A IRF100S201 del canal N del motor de Infineon IR BLDC 2

¿4.Why nos eligen?
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Eficacia alta
Entrega rápida
Servicio profesional del equipo
10 años experimentan componentes electrónicos
Agente de los componentes electrónicos
Descuento logístico de la ventaja
Servicio post-venta excelente

Tags:

Módulos Multiprotocol de MC60CA-04-STD QUECTEL tales como automotriz, telemática, dispositivo usable, perseguidor del activo,

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Precio:	Negociable
Standard Packaging:	800PCS / CARRETE
Delivery Period:	2-3days
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Supply Capacity:	8000PCS/WEEK

Información detallada

Product Description

Información detallada

Lugar de origen

China

Nombre de la marca

INFINEON

Certificación

ROHS

Número de modelo

IRF100S201

Categoría de producto:

Mosfet

Polaridad del transistor:

Canal N

Número de canales:

1 canal

Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:

100 V

Identificación - corriente continua del dren:

192A

Rds en - resistencia de la Dren-fuente:

4,2 mOhms

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:

- 20 V, + 20 V

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:

2 V

Qg - carga de la puerta:

170 nC

Temperatura de funcionamiento mínima:

- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo:

+ 175 C

Paladio - disipación de poder:

441W

Altura:

2,3 milímetros

Longitud:

6,5 milímetros

Anchura:

6,22 milímetros

Transconductancia delantera - minuto:

278 S

Tiempo de caída:

100 ns

Tiempo de subida:

97 ns

Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:

110 ns

Tiempo de retraso de abertura típico:

17 ns

Cantidad del paquete de la fábrica:

800

Cantidad de orden mínima:

10pcs

Precio:

Negociable

Detalles de empaquetado:

800PCS / CARRETE

Tiempo de entrega:

2-3days

Condiciones de pago:

T/T, Western Union

Capacidad de la fuente:

8000PCS/WEEK

Resaltar

MOSFET del canal N del IR

MOSFET del canal N del motor de BLDC

MOSFET de 192A IR

Product Description

MOSFET original del MOSFET de IRF100S201 el 100%, 100V, mOhm 192A 4,2, 170 nC Qg

1. uso

2. Ventajas

MOSFET del poder 3.HEXFET®

MOSFET 192A IRF100S201 del canal N del motor de Infineon IR BLDC 0

MOSFET 192A IRF100S201 del canal N del motor de Infineon IR BLDC 1

MOSFET 192A IRF100S201 del canal N del motor de Infineon IR BLDC 2

Tags:

circuitos integrados electrónicos

Módulo de IGBT

Módulo GPS

Módulo de Quectel

módulo 3G

Sensor del CCD Cmos

módulo 2G

Conductor de IGBT

Retransmisión de TE

módulo de gprs GSM

Cámara IP Soc

Módulo de LTE 4G

Fuente de alimentación conmutada

Ventilador del motor

prototipo del PWB

PCB de la Asamblea

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MOSFET del canal N del IR

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gestión ic del poder,

circuito integrado micro,

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MOSFET del canal N del IR

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MOSFET de 192A IR

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