MOQ: | 10pcs |
Precio: | Negociable |
Standard Packaging: | 2500PC/REEL |
Delivery Period: | 2-3days |
Payment Method: | T / T, Western Union |
Supply Capacity: | 10000pcs/week |
Dispositivo del MOSFET de PowerTrench del P-canal del MOSFET -30V de FDS6679AZ este está bien adaptado para la gestión del poder y los usos que cambian de la carga comunes en las baterías portátiles de Computersand del cuaderno
descripción 1.General
Este MOSFET del P-canal producted usando el proceso avanzado de PowerTrench de ONSemiconductor que se ha adaptado especialmente para minimizar la resistencia del en-estado.
Este dispositivo está bien adaptado para la gestión del poder y los usos que cambian de la carga comunes en las baterías portátiles de Computersand del cuaderno
2.Features
RDS máximo (encendido) = 9.3mΩ en VGS = -10V, identificación = -13A
RDS máximo (encendido) = 14.8mΩ en VGS = -4.5V, identificación = -11A
Gama extendida de VGS (- 25V) para los usos de la batería
Nivel de la protección de HBM ESD de 6kV típico (nota 3)
Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente el lowrDS (encendido)
Poder más elevado y capacidad que da actual
RoHS obediente
MOQ: | 10pcs |
Precio: | Negociable |
Standard Packaging: | 2500PC/REEL |
Delivery Period: | 2-3days |
Payment Method: | T / T, Western Union |
Supply Capacity: | 10000pcs/week |
Dispositivo del MOSFET de PowerTrench del P-canal del MOSFET -30V de FDS6679AZ este está bien adaptado para la gestión del poder y los usos que cambian de la carga comunes en las baterías portátiles de Computersand del cuaderno
descripción 1.General
Este MOSFET del P-canal producted usando el proceso avanzado de PowerTrench de ONSemiconductor que se ha adaptado especialmente para minimizar la resistencia del en-estado.
Este dispositivo está bien adaptado para la gestión del poder y los usos que cambian de la carga comunes en las baterías portátiles de Computersand del cuaderno
2.Features
RDS máximo (encendido) = 9.3mΩ en VGS = -10V, identificación = -13A
RDS máximo (encendido) = 14.8mΩ en VGS = -4.5V, identificación = -11A
Gama extendida de VGS (- 25V) para los usos de la batería
Nivel de la protección de HBM ESD de 6kV típico (nota 3)
Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente el lowrDS (encendido)
Poder más elevado y capacidad que da actual
RoHS obediente