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canal de los circuitos integrados 1P de la gestión del poder de 2.5W FDS6679AZ

canal de los circuitos integrados 1P de la gestión del poder de 2.5W FDS6679AZ

MOQ: 10pcs
Precio: Negociable
Standard Packaging: 2500PC/REEL
Delivery Period: 2-3days
Payment Method: T / T, Western Union
Supply Capacity: 10000pcs/week
Información detallada
Lugar de origen
China
Nombre de la marca
ON
Certificación
ROHS
Número de modelo
FDS6679AZ
Tecnología:
Si
Polaridad del transistor:
P-canal
Número de canales:
1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
30 V
Identificación - corriente continua del dren:
13 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
9,3 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
- 25 V, + 25 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
3 V
Qg - carga de la puerta:
96 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Paladio - disipación de poder:
2.5W
Altura:
1,75 milímetros
Longitud:
4,9 milímetros
Tipo del transistor:
canal 1P
Anchura:
3,9 milímetros
Tiempo de caída:
92 ns
Tiempo de subida:
15 ns
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:
210 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:
13 ns
Cantidad del paquete de la fábrica:
2500
Resaltar:

Circuitos integrados de la gestión del poder de FDS6679AZ

,

circuitos integrados de la gestión del poder 2.5W

,

carga de canal 1P que cambia IC

Product Description

Dispositivo del MOSFET de PowerTrench del P-canal del MOSFET -30V de FDS6679AZ este está bien adaptado para la gestión del poder y los usos que cambian de la carga comunes en las baterías portátiles de Computersand del cuaderno

 

descripción 1.General
Este MOSFET del P-canal producted usando el proceso avanzado de PowerTrench de ONSemiconductor que se ha adaptado especialmente para minimizar la resistencia del en-estado.
Este dispositivo está bien adaptado para la gestión del poder y los usos que cambian de la carga comunes en las baterías portátiles de Computersand del cuaderno

2.Features
RDS máximo (encendido) = 9.3mΩ en VGS = -10V, identificación = -13A
RDS máximo (encendido) = 14.8mΩ en VGS = -4.5V, identificación = -11A
Gama extendida de VGS (- 25V) para los usos de la batería
Nivel de la protección de HBM ESD de 6kV típico (nota 3)
Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente el lowrDS (encendido)
Poder más elevado y capacidad que da actual
RoHS obediente

canal de los circuitos integrados 1P de la gestión del poder de 2.5W FDS6679AZ 0

 

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canal de los circuitos integrados 1P de la gestión del poder de 2.5W FDS6679AZ
MOQ: 10pcs
Precio: Negociable
Standard Packaging: 2500PC/REEL
Delivery Period: 2-3days
Payment Method: T / T, Western Union
Supply Capacity: 10000pcs/week
Información detallada
Lugar de origen
China
Nombre de la marca
ON
Certificación
ROHS
Número de modelo
FDS6679AZ
Tecnología:
Si
Polaridad del transistor:
P-canal
Número de canales:
1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
30 V
Identificación - corriente continua del dren:
13 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
9,3 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
- 25 V, + 25 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
3 V
Qg - carga de la puerta:
96 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Paladio - disipación de poder:
2.5W
Altura:
1,75 milímetros
Longitud:
4,9 milímetros
Tipo del transistor:
canal 1P
Anchura:
3,9 milímetros
Tiempo de caída:
92 ns
Tiempo de subida:
15 ns
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:
210 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:
13 ns
Cantidad del paquete de la fábrica:
2500
Cantidad de orden mínima:
10pcs
Precio:
Negociable
Detalles de empaquetado:
2500PC/REEL
Tiempo de entrega:
2-3days
Condiciones de pago:
T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:
10000pcs/week
Resaltar

Circuitos integrados de la gestión del poder de FDS6679AZ

,

circuitos integrados de la gestión del poder 2.5W

,

carga de canal 1P que cambia IC

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Dispositivo del MOSFET de PowerTrench del P-canal del MOSFET -30V de FDS6679AZ este está bien adaptado para la gestión del poder y los usos que cambian de la carga comunes en las baterías portátiles de Computersand del cuaderno

 

descripción 1.General
Este MOSFET del P-canal producted usando el proceso avanzado de PowerTrench de ONSemiconductor que se ha adaptado especialmente para minimizar la resistencia del en-estado.
Este dispositivo está bien adaptado para la gestión del poder y los usos que cambian de la carga comunes en las baterías portátiles de Computersand del cuaderno

2.Features
RDS máximo (encendido) = 9.3mΩ en VGS = -10V, identificación = -13A
RDS máximo (encendido) = 14.8mΩ en VGS = -4.5V, identificación = -11A
Gama extendida de VGS (- 25V) para los usos de la batería
Nivel de la protección de HBM ESD de 6kV típico (nota 3)
Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente el lowrDS (encendido)
Poder más elevado y capacidad que da actual
RoHS obediente

canal de los circuitos integrados 1P de la gestión del poder de 2.5W FDS6679AZ 0

 

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