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Triodo 200mW del MOSFET del canal N del silicio de BF999 E6327 RF

Triodo 200mW del MOSFET del canal N del silicio de BF999 E6327 RF

MOQ: 10pcs
Precio: Negociable
Standard Packaging: 3000PCS/REEL
Delivery Period: 2-3days
Payment Method: T/T, Western Union
Supply Capacity: 12000PCS/WEEK
Información detallada
Lugar de origen
China
Nombre de la marca
Infineon Technologies
Certificación
ROHS
Número de modelo
BF999 E6327
Polaridad del transistor:
Canal N
Tecnología:
Si
Identificación - corriente continua del dren:
30 A
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
20 V
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Altura:
1 milímetro
Longitud:
2,9 milímetros
ANCHURA:
1,3 milímetros
Paladio - disipación de poder:
200mW
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
6,5 V
Cantidad del paquete de la fábrica:
3000
Resaltar:

Triodo del MOSFET del canal N del silicio

,

Triodo del MOSFET del canal N E6327

,

transistores del MOSFET de 200mW RF

Product Description

Triodo del MOSFET del canal N del silicio de los transistores del MOSFET del FB 999 E6327 RF

triodo del MOSFET del canal N 1.Silicon

Para las etapas de alta frecuencia hasta 300 megaciclos preferiblemente en los usos de FM
• (RoHS obediente) package1 Pb-libres)

Triodo 200mW del MOSFET del canal N del silicio de BF999 E6327 RF 0

 

Triodo 200mW del MOSFET del canal N del silicio de BF999 E6327 RF 1

 

 

¿2.Why nos eligen?

el 100% nuevo y originao con precio de la ventaja
Eficacia alta
Entrega rápida
Servicio profesional del equipo
10 años experimentan componentes electrónicos
Agente de los componentes electrónicos
Descuento logístico de la ventaja
Servicio post-venta excelente

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Altura:
1 milímetro
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1,3 milímetros
Paladio - disipación de poder:
200mW
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
6,5 V
Cantidad del paquete de la fábrica:
3000
Cantidad de orden mínima:
10pcs
Precio:
Negociable
Detalles de empaquetado:
3000PCS/REEL
Tiempo de entrega:
2-3days
Condiciones de pago:
T/T, Western Union
Capacidad de la fuente:
12000PCS/WEEK
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