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Canal N MOSFT de IRFR540ZTRPBF 100V 35A 39nC Qg sin plomo

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Canal N MOSFT de IRFR540ZTRPBF 100V 35A 39nC Qg sin plomo

MOQ:	10pcs
Precio:	Negociable
Standard Packaging:	2000PCS/REEL
Delivery Period:	2-3days
Payment Method:	T/T, Western Union
Supply Capacity:	20000pcs/week

Details Information

Product Description

Información detallada

Lugar de origen

China

Nombre de la marca

Infineon

Certificación

Número de modelo

IRFR540ZTRPBF

Polaridad del transistor:

Canal N

Número de canales:

1 canal

Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:

100 V

Identificación - corriente continua del dren:

Rds en - resistencia de la Dren-fuente:

28,5 mOhms

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:

- 20 V, + 20 V

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:

Qg - carga de la puerta:

59 nC

Temperatura de funcionamiento mínima:

- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo:

+ 175 C

Paladio - disipación de poder:

Modo del canal:

Aumento

Configuración:

Altura:

2,3 milímetros

Longitud:

6,5 milímetros

Tipo del transistor:

1 canal N

ANCHURA:

6,22 milímetros

Transconductancia delantera - minuto:

Tiempo de caída:

34 ns

Tiempo de subida:

42 ns

Cantidad del paquete de la fábrica:

Resaltar:

35A canal N MOSFT

canal N MOSFT

canal MOSFT de 39nC Qg de IRFR540ZTRPBF 1

Product Description

IRFR540ZTRPBF

1.Features
Tecnología de proceso avanzada
¿? En-resistencia ultrabaja
¿? temperatura de funcionamiento 175°C
¿? Transferencia rápida
¿? Avalancha repetidor permitida hasta Tjmax
¿? Sin plomo
¿? Halógeno-libre

2.Description
Este MOSFET del poder de HEXFET® utiliza las técnicas latestprocessing para alcanzar extremadamente lowon-resistencia por área del silicio. El featuresof adicional este diseño es un operatingtemperature del empalme 175°C, velocidad rápidamente que cambia y grado improvedrepetitive de la avalancha. Este featurescombine para hacer este diseño extremadamente un efficientand dispositivo confiable para el uso en una gran variedad ofapplications.SDG

3. Canal N MOSFT de IRFR540ZTRPBF 100V 35A 39nC Qg sin plomo 0

Canal N MOSFT de IRFR540ZTRPBF 100V 35A 39nC Qg sin plomo 1

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el 100% nuevo y originao con precio de la ventaja
Eficacia alta
Entrega rápida
Servicio profesional del equipo
10 años experimentan componentes electrónicos
Agente de los componentes electrónicos
Descuento logístico de la ventaja
Servicio post-venta excelente

Tags:

Módulos Multiprotocol de MC60CA-04-STD QUECTEL tales como automotriz, telemática, dispositivo usable, perseguidor del activo,

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MOQ:	10pcs
Precio:	Negociable
Standard Packaging:	2000PCS/REEL
Delivery Period:	2-3days
Payment Method:	T/T, Western Union
Supply Capacity:	20000pcs/week

Información detallada

Product Description

Información detallada

Lugar de origen

China

Nombre de la marca

Infineon

Certificación

ROHS

Número de modelo

IRFR540ZTRPBF

Polaridad del transistor:

Canal N

Número de canales:

1 canal

Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:

100 V

Identificación - corriente continua del dren:

35 A

Rds en - resistencia de la Dren-fuente:

28,5 mOhms

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:

- 20 V, + 20 V

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:

4 V

Qg - carga de la puerta:

59 nC

Temperatura de funcionamiento mínima:

- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo:

+ 175 C

Paladio - disipación de poder:

91 W

Modo del canal:

Aumento

Configuración:

Solo

Altura:

2,3 milímetros

Longitud:

6,5 milímetros

Tipo del transistor:

1 canal N

ANCHURA:

6,22 milímetros

Transconductancia delantera - minuto:

28 S

Tiempo de caída:

34 ns

Tiempo de subida:

42 ns

Cantidad del paquete de la fábrica:

2000

Cantidad de orden mínima:

10pcs

Precio:

Negociable

Detalles de empaquetado:

2000PCS/REEL

Tiempo de entrega:

2-3days

Condiciones de pago:

T/T, Western Union

Capacidad de la fuente:

20000pcs/week

Resaltar

35A canal N MOSFT

canal N MOSFT

canal MOSFT de 39nC Qg de IRFR540ZTRPBF 1

Product Description

IRFR540ZTRPBF

3. Canal N MOSFT de IRFR540ZTRPBF 100V 35A 39nC Qg sin plomo 0

Canal N MOSFT de IRFR540ZTRPBF 100V 35A 39nC Qg sin plomo 1

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Módulo de IGBT

Módulo GPS

Módulo de Quectel

módulo 3G

Sensor del CCD Cmos

módulo 2G

Conductor de IGBT

Retransmisión de TE

módulo de gprs GSM

Cámara IP Soc

Módulo de LTE 4G

Fuente de alimentación conmutada

Ventilador del motor

prototipo del PWB

PCB de la Asamblea

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gestión ic del poder,

circuito integrado micro,

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