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MOSFET dual 20V 6A del modo del aumento del canal N de FS8205A

MOSFET dual 20V 6A del modo del aumento del canal N de FS8205A

MOQ: 10pcs
Precio: Negociable
Standard Packaging: 3000PCS/REEL
Delivery Period: 2-3days
Payment Method: T/T, Western Union
Supply Capacity: 12000PCS/WEEK
Información detallada
Lugar de origen
Taiwán
Nombre de la marca
FORTUNE
Certificación
ROHS
Número de modelo
FS8205A
Lluvia-fuente Voltag:
20A
Drene actual (continuo):
6A
Comer-fuente Voltag:
±12
Corriente del dren (pulsada) *1:
30A
Disipación de poder total @TA=25oC:
1.5W
Disipación de poder total @TA=75oC:
0.96W
Funcionamiento y gama de temperaturas de almacenamiento:
℃ -55 A +150
Empalme de la resistencia termal a Ambient*2:
83℃/W
Resaltar:

MOSFET del modo del aumento

,

MOSFET DE FS8205A

,

mosfet del canal N de 20V 6A

Product Description

MOSFET dual del Aumento-modo del canal N de FS8205A (20V, 6A)

 

1.Description

Este canal N 2.5V especificó el MOSFET es una versión rugosa de la puerta del proceso avanzado del foso. Se ha optimizado para los usos de la gestión del poder con una amplia gama de voltaje de la impulsión de la puerta (2.5V-10V)

2.Features

RDS (encendido) =38mΩ@VGS=2.5V, ID=5.2A; RDS (encendido) =25mΩ@VGS=4.5V, ID=6A
• Diseño de alta densidad de la célula para la En-resistencia ultrabaja
• Poder más elevado y capacidad que da actual
• Voltaje y corriente completamente caracterizados de avalancha
• Ideal para los usos del paquete del batería li-ion

3.Applications

Protección de la batería
Interruptor de la carga
Gestión del poder

circuito 4.SwitchingTest

MOSFET dual 20V 6A del modo del aumento del canal N de FS8205A 0

Dimensión 5.TSSOP-8L

MOSFET dual 20V 6A del modo del aumento del canal N de FS8205A 1

¿6.Why nos eligen?

el 100% nuevo y originao con precio de la ventaja
Eficacia alta
Entrega rápida
Servicio profesional del equipo
10 años experimentan componentes electrónicos
Agente de los componentes electrónicos
Descuento logístico de la ventaja
Servicio post-venta excelente

 

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MOQ: 10pcs
Precio: Negociable
Standard Packaging: 3000PCS/REEL
Delivery Period: 2-3days
Payment Method: T/T, Western Union
Supply Capacity: 12000PCS/WEEK
Información detallada
Lugar de origen
Taiwán
Nombre de la marca
FORTUNE
Certificación
ROHS
Número de modelo
FS8205A
Lluvia-fuente Voltag:
20A
Drene actual (continuo):
6A
Comer-fuente Voltag:
±12
Corriente del dren (pulsada) *1:
30A
Disipación de poder total @TA=25oC:
1.5W
Disipación de poder total @TA=75oC:
0.96W
Funcionamiento y gama de temperaturas de almacenamiento:
℃ -55 A +150
Empalme de la resistencia termal a Ambient*2:
83℃/W
Cantidad de orden mínima:
10pcs
Precio:
Negociable
Detalles de empaquetado:
3000PCS/REEL
Tiempo de entrega:
2-3days
Condiciones de pago:
T/T, Western Union
Capacidad de la fuente:
12000PCS/WEEK
Resaltar

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,

MOSFET DE FS8205A

,

mosfet del canal N de 20V 6A

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1.Description

Este canal N 2.5V especificó el MOSFET es una versión rugosa de la puerta del proceso avanzado del foso. Se ha optimizado para los usos de la gestión del poder con una amplia gama de voltaje de la impulsión de la puerta (2.5V-10V)

2.Features

RDS (encendido) =38mΩ@VGS=2.5V, ID=5.2A; RDS (encendido) =25mΩ@VGS=4.5V, ID=6A
• Diseño de alta densidad de la célula para la En-resistencia ultrabaja
• Poder más elevado y capacidad que da actual
• Voltaje y corriente completamente caracterizados de avalancha
• Ideal para los usos del paquete del batería li-ion

3.Applications

Protección de la batería
Interruptor de la carga
Gestión del poder

circuito 4.SwitchingTest

MOSFET dual 20V 6A del modo del aumento del canal N de FS8205A 0

Dimensión 5.TSSOP-8L

MOSFET dual 20V 6A del modo del aumento del canal N de FS8205A 1

¿6.Why nos eligen?

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