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Circuitos integrados electrónicos del semiconductor de la élite de F59L2G81A-25TG

Circuitos integrados electrónicos del semiconductor de la élite de F59L2G81A-25TG

MOQ: 10pcs
Precio: Negociable
Standard Packaging: 960PCS/BOX
Delivery Period: 2-3days
Payment Method: T/T, Western Union
Supply Capacity: 96000PCS/WEEK
Información detallada
Lugar de origen
CHINA
Nombre de la marca
EMST
Certificación
ROHS
Número de modelo
F59L2G81A-25TG
Código JESD-30:
R-PDSO-G48
Anchura de la memoria:
8
Material del cuerpo del paquete:
PLASTIC/EPOXY
Paralelo/serial:
Paralelo
Voltaje-minuto de la fuente (Vsup:
2.7V
Tipo:
TIPO DEL NAND
Longitud:
18,4 milímetros
Número de funciones:
1
Modo de funcionamiento:
Síncrono
Código del paquete:
TSOP1
Voltaje programado:
3.3V
Voltaje-Nom de la fuente (Vsup:
3.3V
Anchura:
12 MILÍMETROS
Número de terminales:
48
Funcionamiento Temperatura-máximo:
70C
Forma del paquete:
rectangular
Altura-máximo asentada:
1,2 milímetros
Descripción del paquete:
12 X 20 MILÍMETROS, ECHADA DE 0,50 MILÍMETROS, SIN PLOMO, TSOP1-48
Cantidad que embala mínima de la fábrica:
960
Resaltar:

Semiconductor de epoxy plástico de la élite

,

Componentes del Ic de la célula del NAND

Product Description

                                                                                          1.FEATURES

fuente del voltaje del : 3.3V (2.7V ~ 3.6V)

organización del  - arsenal de célula de memoria: (los 256M el + 16M) x 8bit - registro de los datos: (2K + 64) x 8bit

programa y borrado automáticos - programa del  de la página: (2K + 64) byte - borrado del bloque: (128K + 4K) byte

la página del  leyó la operación - tamaño de página: (2K + 64) bytes - lectura al azar: 25us (máximo) - acceso serial: 25ns (mínimo)

célula de memoria del : célula 1bit/Memory

el  rápidamente escribe la duración de ciclo - tiempo del programa: (tipo.) - tiempo del borrado del bloque 350us: 3.5ms (tipo.)

comando del /dirección/puerto multiplexado datos de la entrada-salida

protección de datos del hardware del  - cierre del programa/del borrado durante transiciones del poder

tecnología flotante confiable de la puerta del  Cmos - requisito del ECC: 4bit/512Byte - resistencia: ciclos del programa 100K/del borrado - retención de los datos: 10 años del  del comando de operación del registro

página automática 0 del  leída en la opción de ciclo inicial - bota de la ayuda del NAND - transferencia directa automática de la memoria

 NO: 4 ciclos

operación del programa del escondrijo del  para el programa del alto rendimiento

el escondrijo del  leyó la operación

operación de la copia-Detrás del  - modo de EDO - operación de OTP - operación del Dos-avión

el  Malo-Bloque-protege

                                                                    DESCRIPCIÓN 2.GENERAL

El dispositivo es un 256Mx8bit con la capacidad de repuesto 16Mx8bit. El dispositivo se ofrece en fuente de alimentación de 3.3V VCC. Su célula del NAND proporciona la solución más rentable para el mercado de estado sólido de la memoria masiva. La memoria se divide en los bloques que pueden ser borrados independientemente así que es posible preservar datos válidos mientras que se borran los viejos datos. El dispositivo contiene 2048 bloques, compuestos por 64 páginas que consisten en dos estructuras del NAND de 32 células de destello en serie. Una operación del programa permite escribir la página 2112-Word en 350us típico y una operación del borrado se puede realizar en 3.5ms típico en un 128K-Byte para el bloque del dispositivo X8. Los datos en el modo de página se pueden leer en la duración de ciclo 25ns por palabra. Los pernos de la entrada-salida sirven como los puertos para las entradas de la dirección y de comando así como la entrada-salida de los datos. La función trasera de la copia permite la optimización de la gestión defectuosa de los bloques: cuando una operación del programa de la página falla los datos se pueden programar directamente en otra página dentro de la misma sección del arsenal sin la fase larga de la inserción de los datos seriales. La característica del programa del escondrijo permite la inserción de los datos en el registro del escondrijo mientras que el registro de los datos se copia en el arsenal de destello. Esta operación canalizada del programa mejora la producción del programa cuando los ficheros largos se escriben dentro de la memoria. Una característica leída escondrijo también se ejecuta. Esta característica permite dramáticamente a mejorar la producción leída cuando las páginas consecutivas tienen que ser fluidas hacia fuera. Este dispositivo incluye la característica adicional: Lectura automática en el poder para arriba.

                                                                     CONFIGURACIÓN 3.PIN (VISIÓN SUPERIOR)

Circuitos integrados electrónicos del semiconductor de la élite de F59L2G81A-25TG 0

                                                                                         4. Pin Description

Circuitos integrados electrónicos del semiconductor de la élite de F59L2G81A-25TG 1

 

Q1. ¿Cuál es sus términos de embalar?

: Generalmente, embalamos nuestras mercancías en cajas blancas neutrales y cartones marrones. Si usted ha registrado legalmente patente, podemos embalar las mercancías en sus cajas calificadas después de conseguir sus letras de la autorización.

 

Q2. ¿Cuál es su MOQ?

: ¡Le proporcionamos pequeño MOQ para cada artículo, él dependemos su orden concreto!

 

Q3. ¿Usted prueba o comprueba todas sus mercancías antes de entrega?

: Sí, tenemos prueba del 100% y comprobamos todas las mercancías antes de entrega.

 

Q4: ¿Cómo usted hace nuestro negocio relación a largo plazo y buena?

: Guardamos buena calidad y el precio competitivo para asegurar a nuestros clientes se beneficia;

Respetamos a cada cliente pues nuestro amigo y nosotros sinceramente hacer negocio y hacer a amigos con ellos, él no es algo que puede ser substituido.

 

Q5: ¿Cómo entrarnos en contacto con?
: ¡Envíe sus detalles en el abajo, tecleo de la investigación “ahora envían "!!!

 

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Circuitos integrados electrónicos del semiconductor de la élite de F59L2G81A-25TG
MOQ: 10pcs
Precio: Negociable
Standard Packaging: 960PCS/BOX
Delivery Period: 2-3days
Payment Method: T/T, Western Union
Supply Capacity: 96000PCS/WEEK
Información detallada
Lugar de origen
CHINA
Nombre de la marca
EMST
Certificación
ROHS
Número de modelo
F59L2G81A-25TG
Código JESD-30:
R-PDSO-G48
Anchura de la memoria:
8
Material del cuerpo del paquete:
PLASTIC/EPOXY
Paralelo/serial:
Paralelo
Voltaje-minuto de la fuente (Vsup:
2.7V
Tipo:
TIPO DEL NAND
Longitud:
18,4 milímetros
Número de funciones:
1
Modo de funcionamiento:
Síncrono
Código del paquete:
TSOP1
Voltaje programado:
3.3V
Voltaje-Nom de la fuente (Vsup:
3.3V
Anchura:
12 MILÍMETROS
Número de terminales:
48
Funcionamiento Temperatura-máximo:
70C
Forma del paquete:
rectangular
Altura-máximo asentada:
1,2 milímetros
Descripción del paquete:
12 X 20 MILÍMETROS, ECHADA DE 0,50 MILÍMETROS, SIN PLOMO, TSOP1-48
Cantidad que embala mínima de la fábrica:
960
Cantidad de orden mínima:
10pcs
Precio:
Negociable
Detalles de empaquetado:
960PCS/BOX
Tiempo de entrega:
2-3days
Condiciones de pago:
T/T, Western Union
Capacidad de la fuente:
96000PCS/WEEK
Resaltar

Semiconductor de epoxy plástico de la élite

,

Componentes del Ic de la célula del NAND

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                                                                                          1.FEATURES

fuente del voltaje del : 3.3V (2.7V ~ 3.6V)

organización del  - arsenal de célula de memoria: (los 256M el + 16M) x 8bit - registro de los datos: (2K + 64) x 8bit

programa y borrado automáticos - programa del  de la página: (2K + 64) byte - borrado del bloque: (128K + 4K) byte

la página del  leyó la operación - tamaño de página: (2K + 64) bytes - lectura al azar: 25us (máximo) - acceso serial: 25ns (mínimo)

célula de memoria del : célula 1bit/Memory

el  rápidamente escribe la duración de ciclo - tiempo del programa: (tipo.) - tiempo del borrado del bloque 350us: 3.5ms (tipo.)

comando del /dirección/puerto multiplexado datos de la entrada-salida

protección de datos del hardware del  - cierre del programa/del borrado durante transiciones del poder

tecnología flotante confiable de la puerta del  Cmos - requisito del ECC: 4bit/512Byte - resistencia: ciclos del programa 100K/del borrado - retención de los datos: 10 años del  del comando de operación del registro

página automática 0 del  leída en la opción de ciclo inicial - bota de la ayuda del NAND - transferencia directa automática de la memoria

 NO: 4 ciclos

operación del programa del escondrijo del  para el programa del alto rendimiento

el escondrijo del  leyó la operación

operación de la copia-Detrás del  - modo de EDO - operación de OTP - operación del Dos-avión

el  Malo-Bloque-protege

                                                                    DESCRIPCIÓN 2.GENERAL

El dispositivo es un 256Mx8bit con la capacidad de repuesto 16Mx8bit. El dispositivo se ofrece en fuente de alimentación de 3.3V VCC. Su célula del NAND proporciona la solución más rentable para el mercado de estado sólido de la memoria masiva. La memoria se divide en los bloques que pueden ser borrados independientemente así que es posible preservar datos válidos mientras que se borran los viejos datos. El dispositivo contiene 2048 bloques, compuestos por 64 páginas que consisten en dos estructuras del NAND de 32 células de destello en serie. Una operación del programa permite escribir la página 2112-Word en 350us típico y una operación del borrado se puede realizar en 3.5ms típico en un 128K-Byte para el bloque del dispositivo X8. Los datos en el modo de página se pueden leer en la duración de ciclo 25ns por palabra. Los pernos de la entrada-salida sirven como los puertos para las entradas de la dirección y de comando así como la entrada-salida de los datos. La función trasera de la copia permite la optimización de la gestión defectuosa de los bloques: cuando una operación del programa de la página falla los datos se pueden programar directamente en otra página dentro de la misma sección del arsenal sin la fase larga de la inserción de los datos seriales. La característica del programa del escondrijo permite la inserción de los datos en el registro del escondrijo mientras que el registro de los datos se copia en el arsenal de destello. Esta operación canalizada del programa mejora la producción del programa cuando los ficheros largos se escriben dentro de la memoria. Una característica leída escondrijo también se ejecuta. Esta característica permite dramáticamente a mejorar la producción leída cuando las páginas consecutivas tienen que ser fluidas hacia fuera. Este dispositivo incluye la característica adicional: Lectura automática en el poder para arriba.

                                                                     CONFIGURACIÓN 3.PIN (VISIÓN SUPERIOR)

Circuitos integrados electrónicos del semiconductor de la élite de F59L2G81A-25TG 0

                                                                                         4. Pin Description

Circuitos integrados electrónicos del semiconductor de la élite de F59L2G81A-25TG 1

 

Q1. ¿Cuál es sus términos de embalar?

: Generalmente, embalamos nuestras mercancías en cajas blancas neutrales y cartones marrones. Si usted ha registrado legalmente patente, podemos embalar las mercancías en sus cajas calificadas después de conseguir sus letras de la autorización.

 

Q2. ¿Cuál es su MOQ?

: ¡Le proporcionamos pequeño MOQ para cada artículo, él dependemos su orden concreto!

 

Q3. ¿Usted prueba o comprueba todas sus mercancías antes de entrega?

: Sí, tenemos prueba del 100% y comprobamos todas las mercancías antes de entrega.

 

Q4: ¿Cómo usted hace nuestro negocio relación a largo plazo y buena?

: Guardamos buena calidad y el precio competitivo para asegurar a nuestros clientes se beneficia;

Respetamos a cada cliente pues nuestro amigo y nosotros sinceramente hacer negocio y hacer a amigos con ellos, él no es algo que puede ser substituido.

 

Q5: ¿Cómo entrarnos en contacto con?
: ¡Envíe sus detalles en el abajo, tecleo de la investigación “ahora envían "!!!

 

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