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Mosfet bajo 600V TO247-3 del poder del canal N del poder más elevado del Mosfet de Igbt de la carga de la puerta

Mosfet bajo 600V TO247-3 del poder del canal N del poder más elevado del Mosfet de Igbt de la carga de la puerta

MOQ: 240pcs
Precio: Negociable
Standard Packaging: 240pcs/box
Delivery Period: 2-3días
Payment Method: T/T
Supply Capacity: 7200PCS/1WEEK
Información detallada
Lugar de origen
China
Nombre de la marca
Infineon Technologies
Certificación
Rohs
Número de modelo
SPW20N60C3
TECNOLOGÍA::
SI
Estilo del montaje::
A través del agujero
Paquete/caso::
TO-247-3
Número de canales::
1 canal
Polaridad del transistor::
Canal N
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente::
600v
Resaltar:

gestión ic del poder

,

circuito integrado micro

Product Description

El MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3,600V CoolMOS™ C3 de Infineon es la tercera serie de Infineon de CoolMOS™

 

El reemplazo para 600V CoolMOS™ C3 es CoolMOS™ P7

600V CoolMOS™ C3 es la tercera serie de Infineon de CoolMOS™ con la entrada en mercado en 2001. C3 es de “caballo trabajo” de la cartera.

Resumen de características:

  • Resistencia específica baja del en-estado *A) (de RDS(encendido)
  • Almacenamiento de energía muy baja en la capacitancia de salida (oss) de E @400V
  • Carga baja de la puerta (Qg)
  • Calidad Fieldproven de CoolMOS™
  • La tecnología de CoolMOS™ ha sido fabricada por Infineon desde 1998

Ventajas:

  • Eficacia alta y densidad de poder
  • Coste/funcionamiento excepcionales
  • Alta confiabilidad
  • Facilidad de empleo

Usos de la blanco:

  • Servidor
  • Telecomunicaciones
  • Consumidor
  • Poder de la PC
  • Adaptador

 

Mosfet bajo 600V TO247-3 del poder del canal N del poder más elevado del Mosfet de Igbt de la carga de la puerta 0

 

Mosfet bajo 600V TO247-3 del poder del canal N del poder más elevado del Mosfet de Igbt de la carga de la puerta 1

 

Q1. ¿Cuál es sus términos del embalaje?

A: Generalmente, embalamos nuestras mercancías en cajas blancas neutrales y cartones marrones. Si usted ha registrado legalmente patente, podemos embalar las mercancías en sus cajas calificadas después de conseguir sus letras de la autorización.

 

Q2. ¿Cuál es su MOQ?

A: ¡Le proporcionamos pequeño MOQ para cada artículo, él dependemos su orden concreto!

 

Q3. ¿Usted prueba o comprueba todas sus mercancías antes de entrega?

A: Sí, tenemos prueba del 100% y comprobamos todas las mercancías antes de entrega.

 

Q4: ¿Cómo usted hace nuestro largo plazo del negocio y buena relación?

A: Guardamos buena calidad y el precio competitivo para asegurar a nuestros clientes se beneficia;

Respetamos a cada cliente como nuestro amigo y nosotros hacemos sinceramente negocio y hacemos a amigos con ellos, él no somos algo que puede ser substituido.

 

Q5: ¿Cómo entrarnos en contacto con?
A: ¡Envíe sus detalles en el abajo, tecleo de la investigación “ahora envían "!!!

 

 

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Mosfet bajo 600V TO247-3 del poder del canal N del poder más elevado del Mosfet de Igbt de la carga de la puerta
MOQ: 240pcs
Precio: Negociable
Standard Packaging: 240pcs/box
Delivery Period: 2-3días
Payment Method: T/T
Supply Capacity: 7200PCS/1WEEK
Información detallada
Lugar de origen
China
Nombre de la marca
Infineon Technologies
Certificación
Rohs
Número de modelo
SPW20N60C3
TECNOLOGÍA::
SI
Estilo del montaje::
A través del agujero
Paquete/caso::
TO-247-3
Número de canales::
1 canal
Polaridad del transistor::
Canal N
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente::
600v
Cantidad de orden mínima:
240pcs
Precio:
Negociable
Detalles de empaquetado:
240pcs/box
Tiempo de entrega:
2-3días
Condiciones de pago:
T/T
Capacidad de la fuente:
7200PCS/1WEEK
Resaltar

gestión ic del poder

,

circuito integrado micro

Product Description

El MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3,600V CoolMOS™ C3 de Infineon es la tercera serie de Infineon de CoolMOS™

 

El reemplazo para 600V CoolMOS™ C3 es CoolMOS™ P7

600V CoolMOS™ C3 es la tercera serie de Infineon de CoolMOS™ con la entrada en mercado en 2001. C3 es de “caballo trabajo” de la cartera.

Resumen de características:

  • Resistencia específica baja del en-estado *A) (de RDS(encendido)
  • Almacenamiento de energía muy baja en la capacitancia de salida (oss) de E @400V
  • Carga baja de la puerta (Qg)
  • Calidad Fieldproven de CoolMOS™
  • La tecnología de CoolMOS™ ha sido fabricada por Infineon desde 1998

Ventajas:

  • Eficacia alta y densidad de poder
  • Coste/funcionamiento excepcionales
  • Alta confiabilidad
  • Facilidad de empleo

Usos de la blanco:

  • Servidor
  • Telecomunicaciones
  • Consumidor
  • Poder de la PC
  • Adaptador

 

Mosfet bajo 600V TO247-3 del poder del canal N del poder más elevado del Mosfet de Igbt de la carga de la puerta 0

 

Mosfet bajo 600V TO247-3 del poder del canal N del poder más elevado del Mosfet de Igbt de la carga de la puerta 1

 

Q1. ¿Cuál es sus términos del embalaje?

A: Generalmente, embalamos nuestras mercancías en cajas blancas neutrales y cartones marrones. Si usted ha registrado legalmente patente, podemos embalar las mercancías en sus cajas calificadas después de conseguir sus letras de la autorización.

 

Q2. ¿Cuál es su MOQ?

A: ¡Le proporcionamos pequeño MOQ para cada artículo, él dependemos su orden concreto!

 

Q3. ¿Usted prueba o comprueba todas sus mercancías antes de entrega?

A: Sí, tenemos prueba del 100% y comprobamos todas las mercancías antes de entrega.

 

Q4: ¿Cómo usted hace nuestro largo plazo del negocio y buena relación?

A: Guardamos buena calidad y el precio competitivo para asegurar a nuestros clientes se beneficia;

Respetamos a cada cliente como nuestro amigo y nosotros hacemos sinceramente negocio y hacemos a amigos con ellos, él no somos algo que puede ser substituido.

 

Q5: ¿Cómo entrarnos en contacto con?
A: ¡Envíe sus detalles en el abajo, tecleo de la investigación “ahora envían "!!!

 

 

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