aprobación dual de la configuración ROHS del silicio del módulo FF300R12KT4 de 1200V 300A IGBT

                                                                Módulo FF300R12KT4 de IGBT

El colector-emittersaturationvoltage IC del Kollektor-emisor-Sättigungsspannung = 300 A, VGE = 15 V IC = 300 A, VGE = 15 V IC = 300 A, VGE = 15 V VCE sentó 1,75 2,05 2,10 2,15 V V puerta-Schwellenspannung Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gatethresholdvoltage de V IC = 11,5 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V Gateladung Gatecharge VGE = -15 V… +15 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj de V QG 2,40 = Ω Eingangskapazität Inputcapacitance de 25°C RGint 2,5 f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies N-F 19,0 Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 colectores-emittercut-offcurrent del Kollektor-emisor-Reststrom de V Cres 0,81 N-F VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C HIELA la puerta-emitterleakagecurrent del Puerta-emisor-Reststrom de 5,0 mA VCE = 0 V, VGE = 20 V, nA Einschaltverzögerungszeit, vuelta-ondelaytime del induktiveLast, inductiveload IC de Tvj = de 25°C IGES 400 = 300 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,8 el Ω TD en 0,16 0,17 0,18 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit, induktivAnstiegszeit, tiempo de formación del induktiveLast, inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,8 Ω tr 0,04 0.045 0,05 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit, vuelta-offdelaytime del induktiveLast, inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω TD de 0,45 0,52 0,54 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit, induktiveLast Falltime, inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω tf 0,10 0,16 0,18 µs µs µs Tvj = vuelta-onenergylossperpulse IC de 25°C Tvj = de 125°C Tvj = de 150°C EinschaltverlustenergieproPuls = 300 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 150°C) RGon de = eón 16,5 1,8 Ω 25,0 30,0 mJ mJ mJ Vuelta-offenergylossperpulse IC de Tvj = de 25°C Tvj = de 125°C Tvj = de 150°C AbschaltverlustenergieproPuls = 300 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) RGoff = 1,8 Ω Eoff 19,5 29,5 32,5 mJ mJ mJ Tvj = ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES - LsCE de 25°C Tvj = de 125°C Tvj = de 150°C Kurzschlußverhalten SCdata VGE ·µs del ≤ 10 del ISC tP de di/dt, Tvj = 125°C 1200 un Wärmewiderstand, ChipbisGehäu

Q1. ¿Cuál es sus términos de embalar?

: Generalmente, embalamos nuestras mercancías en cajas blancas neutrales y cartones marrones.

Si usted ha registrado legalmente patente, podemos embalar las mercancías en sus cajas calificadas después de conseguir sus letras de la autorización.

Q2. ¿Cuál es su MOQ?

: ¡Le proporcionamos pequeño MOQ para cada artículo, él dependemos su orden concreto!

Q3. ¿Usted prueba o comprueba todas sus mercancías antes de entrega?

: Sí, tenemos prueba del 100% y comprobamos todas las mercancías antes de entrega.

Q4: ¿Cómo usted hace nuestro negocio relación a largo plazo y buena?

Guardamos buena calidad y el precio competitivo para asegurar a nuestros clientes se beneficia;

Respetamos a cada cliente pues nuestro amigo y nosotros sinceramente hacer negocio y hacer a amigos con ellos, él no es algo que puede ser substituido.

Q5: ¿Cómo entrarnos en contacto con?
: ¡Envíe sus detalles en el abajo, tecleo de la investigación “ahora envían "!!!

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